SI7119DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 200 В, 3.8 А, 0.86 Ом, PowerPAK 1212, Surface Moun

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI7119DN-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.32
вид монтажа:SMD/SMT
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+150 C
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.32
вид монтажа:SMD/SMT
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+150 C
минимальная рабочая температура:-50 C
подкатегория:MOSFETs
производитель:Vishay
серия:SI7
тип продукта:MOSFET
торговая марка:Vishay Semiconductors
размер фабричной упаковки:3000
упаковка:Reel, Cut Tape, MouseReel
другие названия товара №:SI7119DN-GE3
упаковка / блок:PowerPAK-1212-8
время нарастания:11 ns
время спада:12 ns
Вес и габариты
коммерческое обозначение:TrenchFET
pd - рассеивание мощности:52 W
количество каналов:1 Channel
технология:Si
конфигурация:Single
id - непрерывный ток утечки:3.8 A
qg - заряд затвора:25 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:1.05 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток:200 V
vgs - напряжение затвор-исток:-20 V, +20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :2 V
канальный режим:Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.:4 S
полярность транзистора:P-Channel
тип транзистора:1 P-Channel
типичное время задержки выключения:27 ns
типичное время задержки при включении:9 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль