SI7115DN-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance295mО© @ 4A,10V
transistor polarityP Channel
vds - drain-source breakdown voltage150V
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance295mО© @ 4A,10V
transistor polarityP Channel
vds - drain-source breakdown voltage150V
vgs - gate-source voltage4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c8.9A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)3.7W
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль