SI5902BDC-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
Основные
вес, г0.085
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
380
+
Бонус: 7.6 !
Бонусная программа
Итого: 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
Основные
вес, г0.085
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
серияSI54
коммерческое обозначениеTrenchFET
pin count8
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
automotiveNo
eu rohsCompliant
maximum operating temperature (°c)150
mountingSurface Mount
part statusActive
pcb changed8
ppapNo
standard package nameChip FET
supplier packageChip FET
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)1500
minimum operating temperature (°c)-55
configurationDual Dual Drain
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip2
channel typeN
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)3.7
maximum drain source resistance (mohm)65 10V
maximum drain source voltage (v)30
maximum gate source voltage (v)±20
typical fall time (ns)5|25
typical gate charge @ 10v (nc)4.5
typical gate charge @ vgs (nc)4.5 10V|2 4.5V
typical input capacitance @ vds (pf)220 15V
typical rise time (ns)12|80
typical turn-off delay time (ns)10|12
typical turn-on delay time (ns)4|15
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль