SI5902BDC-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SI5902BDC-T1-GE3
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
Основные
категория продукта
МОП-транзистор
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
3000
тип продукта
MOSFET
торговая марка
Vishay / Siliconix
серия
SI54
коммерческое обозначение
TrenchFET
pin count
8
packaging
Tape and Reel
product category
Power MOSFET
automotive
No
eu rohs
Compliant
maximum operating temperature (°c)
150
mounting
Surface Mount
part status
Active
pcb changed
8
ppap
No
standard package name
Chip FET
supplier package
Chip FET
eccn (us)
EAR99
maximum power dissipation (mw)
1500
minimum operating temperature (°c)
-55
configuration
Dual Dual Drain
Вес и габариты
технология
Si
number of elements per chip
2
channel type
N
channel mode
Enhancement
maximum continuous drain current (a)
3.7
maximum drain source resistance (mohm)
65 10V
maximum drain source voltage (v)
30
maximum gate source voltage (v)
±20
typical fall time (ns)
5|25
typical gate charge @ 10v (nc)
4.5
typical gate charge @ vgs (nc)
4.5 10V|2 4.5V
typical input capacitance @ vds (pf)
220 15V
typical rise time (ns)
12|80
typical turn-off delay time (ns)
10|12
typical turn-on delay time (ns)
4|15
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26