Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET

Подробное описание

Основные
вес, г	0.085
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

400 ₽

– +

Бонус: 8 !

Бонусная программа

Итого: 400 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.085
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	ChipFET-8
серия	SI54
длина	3.05 mm
коммерческое обозначение	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	3.12 W
другие названия товара №	SI5902BDC-E3
количество каналов	2 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Dual
id - непрерывный ток утечки	4 A
qg - заряд затвора	7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	65 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
Высота	1.1 мм
Ширина	1.65 мм

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

SI5902BDC-T1-E3