SI5476DU-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
400
+
Бонус: 8 !
Бонусная программа
Итого: 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-ChipFET-8
серияSI54
длина3 mm
коммерческое обозначениеTrenchFET
pin count8
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
другие названия товара №SI5476DU-GE3
automotiveNo
eu rohsCompliant
maximum operating temperature (°c)150
mountingSurface Mount
part statusActive
pcb changed8
standard package nameChip FET
supplier packagePowerPAK ChipFET
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)3100
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle Hex Drain
hts8541.29.00.95
package height0.8(Max)
package length3
package width1.9
process technologyTrenchFET
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
channel typeN
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)12
maximum drain source resistance (mohm)34@10V
maximum drain source voltage (v)60
maximum gate source voltage (v)±20
typical fall time (ns)10|60
typical gate charge @ 10v (nc)21
typical gate charge @ vgs (nc)10.5@4.5V|21@10V
typical input capacitance @ vds (pf)1100@30V
typical rise time (ns)150|15
typical turn-off delay time (ns)20|22
typical turn-on delay time (ns)10|20
militaryNo
Высота 0.75 мм
Ширина1.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль