SI5468DC-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
Основные
вес, г0.085
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
Основные
вес, г0.085
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case8-SMD, Flat Lead
rohs statusROHS3 Compliant
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSI54
supplier device package1206-8 ChipFETв„ў
коммерческое обозначениеTrenchFET
seriesTrenchFETВ® ->
другие названия товара №SI5468DC-GE3
base product numberSI5468 ->
Вес и габариты
технологияSi
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c6A (Tc)
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs12nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds435pF @ 15V
power dissipation (max)2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs28mOhm @ 6.8A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id2.5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль