SI5441BDC-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 4.4А [Chip FET -8]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI5441BDC-T1-GE3
Основные
вес, г0.01
максимальная рабочая температура150 C
количество выводов8вывод(-ов)
Вес и габариты
71
+
Бонус: 1.42 !
Бонусная программа
Итого: 71
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
вес, г0.01
максимальная рабочая температура150 C
количество выводов8вывод(-ов)
Вес и габариты
рассеиваемая мощность2.5Вт
напряжение истока-стока vds-20В
полярность транзистораP Channel
стиль корпуса транзистора1206
непрерывный ток стока-6.1А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.08Ом
напряжение измерения rds(on)
пороговое напряжение vgs12в
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль