SI4838BDY-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 12 В, 34 А, 0.0021 Ом, SOIC, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI4838BDY-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г1
максимальная рабочая температура150 C
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г1
максимальная рабочая температура150 C
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность5.7Вт
power dissipation5.7Вт
напряжение истока-стока vds12В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораSOIC
непрерывный ток стока34А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0021Ом
напряжение измерения rds(on)4.5В
пороговое напряжение vgs400мВ
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0021Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль