SI4465ADY-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
Основные
вес, г0.187
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
570
+
Бонус: 11.4 !
Бонусная программа
Итого: 570
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
Основные
вес, г0.187
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокSO-8
серияSI4
длина4.9 mm
коммерческое обозначениеTrenchFET
pin count8
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
другие названия товара №SI4465ADY-GE3
automotiveNo
eu rohsCompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)150
mountingSurface Mount
part statusNRND
pcb changed8
standard package nameSOP
supplier packageSOIC N
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)3000
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle Quad Drain Triple Source
hts8541.29.00.95
package height1.55(Max)
package length5(Max)
package width4(Max)
process technologyTrenchFET
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
channel typeP
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)13.7
maximum drain source resistance (mohm)9@4.5V
maximum drain source voltage (v)8
maximum gate source voltage (v)±8
typical fall time (ns)112
typical gate charge @ vgs (nc)55@4.5V
typical rise time (ns)170
typical turn-off delay time (ns)168
typical turn-on delay time (ns)33
militaryNo
Высота 1.75 мм
Ширина3.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль