SI4288DY-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 9.2 А, 0.0165 Ом, SOIC, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI4288DY-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторыMarket demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Основные
вес, г0.73
максимальная рабочая температура150 C
количество выводов8вывод(-ов)
Вес и габариты
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторыMarket demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Основные
вес, г0.73
максимальная рабочая температура150 C
количество выводов8вывод(-ов)
Вес и габариты
рассеиваемая мощность3.1Вт
напряжение истока-стока vds40В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораSOIC
непрерывный ток стока9.2А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0165Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs2.5В
монтаж транзистораSurface Mount
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль