Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SO-8

Подробное описание

Основные
вес, г	0.187
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

450 ₽

– +

Бонус: 9 !

Бонусная программа

Итого: 450 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.187
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	2500
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	SO-8
серия	SI4
длина	4.9 mm
коммерческое обозначение	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	6.5 W
другие названия товара №	SI4166DY-GE3
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	30.5 A
qg - заряд затвора	65 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	3.9 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.2 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
Высота	1.75 мм
Ширина	3.9 мм

Отзывов нет

Кнопки