SI4166DY-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 30.5 А, 0.0032 Ом, SOIC, Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SI4166DY-T1-GE3
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SO-8
Основные
вес, г
1
вид монтажа
SMD/SMT
категория продукта
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
2500
тип продукта
MOSFET
торговая марка
Vishay Semiconductors
упаковка / блок
SO-8
серия
SI4
длина
4.9 mm
коммерческое обозначение
TrenchFET
pd - рассеивание мощности
6.5 W
другие названия товара №
SI4166DY-GE3
количество каналов
1 Channel
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
id - непрерывный ток утечки
30.5 A
qg - заряд затвора
65 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток
3.9 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.2 V
канальный режим
Enhancement
полярность транзистора
N-Channel
Высота
1.75 мм
Ширина
3.9 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26