SI4166DY-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 30.5 А, 0.0032 Ом, SOIC, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI4166DY-T1-GE3
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SO-8
Основные
вес, г1
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SO-8
Основные
вес, г1
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокSO-8
серияSI4
длина4.9 mm
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности6.5 W
другие названия товара №SI4166DY-GE3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки30.5 A
qg - заряд затвора65 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток3.9 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
Высота 1.75 мм
Ширина3.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль