SI4143DY-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 25.3 А, 0.0051 Ом, SOIC, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI4143DY-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.1
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET
количество выводов8вывод(-ов)
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.1
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET
количество выводов8вывод(-ов)
Вес и габариты
channel typeP Channel
рассеиваемая мощность6Вт
power dissipation6Вт
напряжение истока-стока vds30В
полярность транзистораP Канал
стиль корпуса транзистораSOIC
непрерывный ток стока25.3А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0051Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs2.5В
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0051Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль