Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	0.1
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET
количество выводов	8вывод(-ов)

170 ₽

- +

Бонус: 3.4 !

Бонусная программа

Итого: 170 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	0.1
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET
количество выводов	8вывод(-ов)
Вес и габариты
channel type	P Channel
рассеиваемая мощность	6Вт
power dissipation	6Вт
напряжение истока-стока vds	30В
полярность транзистора	P Канал
стиль корпуса транзистора	SOIC
непрерывный ток стока	25.3А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0051Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	2.5В
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.0051Ом

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

SI4143DY-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 25.3 А, 0.0051 Ом, SOIC, Surface Mount