Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SO-8
Основные
вес, г
0.187
вид монтажа:
SMD/SMT
категория продукта:
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:
+ 150 C
минимальная рабочая температура:
- 55 C
подкатегория:
MOSFETs
производитель:
Vishay
серия:
SI4
тип продукта:
MOSFET
торговая марка:
Vishay Semiconductors
высота:
1.75 mm
длина:
4.9 mm
размер фабричной упаковки:
2500
ширина:
3.9 mm
другие названия товара №:
SI4128DY-E3
упаковка / блок:
SO-8
Вес и габариты
коммерческое обозначение:
TrenchFET
pd - рассеивание мощности:
5 W
количество каналов:
1 Channel
технология:
Si
конфигурация:
Single
id - непрерывный ток утечки:
10.9 A
qg - заряд затвора:
12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:
24 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:
30 V
vgs - напряжение затвор-исток:
- 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
1 V
канальный режим:
Enhancement
полярность транзистора:
N-Channel
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26