SI3493DDV-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 20 В, 8 А, 0.02 Ом, TSOP, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI3493DDV-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы• 20V, 8A P-channel TrenchFET® Gen III power MOSFET in 6 pin TSOP package• RDS(on) rating at VGS = -1.8V• 100 % Rg and UIS tested• Used for battery management in mobile devices, battery switch, load switch and PA switch
Основные
вес, г0.01
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET
количество выводов6вывод(-ов)
82
+
Бонус: 1.64 !
Бонусная программа
Итого: 82
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы• 20V, 8A P-channel TrenchFET® Gen III power MOSFET in 6 pin TSOP package• RDS(on) rating at VGS = -1.8V• 100 % Rg and UIS tested• Used for battery management in mobile devices, battery switch, load switch and PA switch
Основные
вес, г0.01
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET
количество выводов6вывод(-ов)
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
manufacturer:Vishay
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
product category:MOSFET
product type:MOSFET
subcategory:MOSFETs
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
package/case:TSOP-6
channel typeP Channel
pd - power dissipation:3.6 W
number of channels:1 Channel
technology:Si
рассеиваемая мощность3.6Вт
power dissipation3.6Вт
configuration:Single
напряжение истока-стока vds20В
полярность транзистораP Канал
стиль корпуса транзистораTSOP
непрерывный ток стока
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.02Ом
напряжение измерения rds(on)4.5В
пороговое напряжение vgs
channel mode:Enhancement
id - continuous drain current:8 A
qg - gate charge:52.2 nC
rds on - drain-source resistance:20 mOhms
transistor polarity:P-Channel
transistor type:1 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:20 V
vgs - gate-source voltage:-8 V, +8 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1 V
монтаж транзистораSurface Mount
typical turn-off delay time:115 ns
typical turn-on delay time:8 ns
forward transconductance - min:30 S
drain source on state resistance0.02Ом
fall time:40 ns
rise time:20 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль