SI3493DDV-T1-GE3, MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETTrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETs Vishay / Siliconix TrenchFET ® Gen III P-Channel Power MOSFETs offer low on-resistance, low-voltage drops, increased efficiency, and battery time. These power MOSFETs are available in a variety of package sizes. The P-channel MOSFETs offer on-resistance ratings that accommodate a wide range of applications. Applications include load switches, adapter switches, battery switches, DC motors, and charger switches.

Подробное описание

Основные
вес, г	0.02
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET
количество выводов	6вывод(-ов)

Все характеристики

120 ₽

– +

Бонус: 2.4 !

Бонусная программа

Итого: 120 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	0.02
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET
количество выводов	6вывод(-ов)
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
manufacturer:	Vishay
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
subcategory:	MOSFETs
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
package/case:	TSOP-6
channel type	P Channel
pd - power dissipation:	3.6 W
number of channels:	1 Channel
technology:	Si
рассеиваемая мощность	3.6Вт
power dissipation	3.6Вт
configuration:	Single
напряжение истока-стока vds	20В
полярность транзистора	P Канал
стиль корпуса транзистора	TSOP
непрерывный ток стока	8А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.02Ом
напряжение измерения rds(on)	4.5В
пороговое напряжение vgs	1В
channel mode:	Enhancement
id - continuous drain current:	8 A
qg - gate charge:	52.2 nC
rds on - drain-source resistance:	20 mOhms
transistor polarity:	P-Channel
transistor type:	1 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	20 V
vgs - gate-source voltage:	-8 V, +8 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	1 V
монтаж транзистора	Surface Mount
typical turn-off delay time:	115 ns
typical turn-on delay time:	8 ns
forward transconductance - min:	30 S
drain source on state resistance	0.02Ом
fall time:	40 ns
rise time:	20 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки