SI3493BDV-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V
Основные
вес, г0.02
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V
Основные
вес, г0.02
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокTSOP-6
серияSI3
коммерческое обозначениеTrenchFET
pin count6
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
другие названия товара №SI3493BDV-GE3
automotiveNo
eu rohsCompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)150
mountingSurface Mount
part statusNRND
pcb changed6
standard package nameSOP
supplier packageTSOP
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)2080
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle Quad Drain
hts8541.29.00.95
package height1(Max)
package length3.05
package width1.65
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
channel typeP
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)7
maximum drain source resistance (mohm)27.5@4.5V
maximum drain source voltage (v)20
maximum gate source voltage (v)±8
typical fall time (ns)84
typical gate charge @ vgs (nc)29@5V|26.2@4.5V
typical input capacitance @ vds (pf)1805@10V
typical rise time (ns)72
typical turn-off delay time (ns)75
typical turn-on delay time (ns)22
militaryNo
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль