SI3493BDV-T1-E3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V
Основные
вес, г0.02
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V
Основные
вес, г0.02
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокTSOP-6
серияSI3
время нарастания72 ns
время спада84 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности2.97 W
другие названия товара №SI3493BDV-E3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки8 A
qg - заряд затвора29 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток27.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток4.5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток400 mV
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.24.3 S
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора1 P-Channel
типичное время задержки выключения75 ns
типичное время задержки при включении22 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль