SI3483DDV-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор P-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор
Основные
вес, г0.2338
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор P-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор
Основные
вес, г0.2338
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокTSOP-6
время нарастания33 ns
время спада40 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности3 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки8 A
qg - заряд затвора9.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток31.2 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.30 S
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора1 P-Channel
типичное время задержки выключения30 ns
типичное время задержки при включении15 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль