SI3483DDV-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 8 А, 0.026 Ом, TSOP, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI3483DDV-T1-GE3
МОП-транзистор P-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор
Основные
вес, г2.5
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор P-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор
Основные
вес, г2.5
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокTSOP-6
время нарастания33 ns
время спада40 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности3 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки8 A
qg - заряд затвора9.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток31.2 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.30 S
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора1 P-Channel
типичное время задержки выключения30 ns
типичное время задержки при включении15 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль