SI3460BDV-T1-E3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V 8.0A 3.5W
Основные
вес, г0.02
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V 8.0A 3.5W
Основные
вес, г0.02
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокTSOP-6
серияSI3
длина3.05 mm
время нарастания60 ns
время спада6 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности3.5 W
другие названия товара №SI3460BDV-E3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки8 A
qg - заряд затвора16 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток27 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток450 mV
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.22 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения25 ns
типичное время задержки при включении7 ns
Высота 1.1 мм
Ширина1.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль