SI3400A-TP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25°c5.8A
power dissipation-max (ta=25°c)400mW
rds on - drain-source resistance32mΩ 5.8A, 10V
10
+
Бонус: 0.2 !
Бонусная программа
Итого: 10
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25°c5.8A
power dissipation-max (ta=25°c)400mW
rds on - drain-source resistance32mΩ 5.8A, 10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
vgs - gate-source voltage1.4V 250uA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль