SI2369DS-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI2369DS-T1-GE3
Основные
package / caseSOT-23-3
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity3000
manufacturerVishay
86
+
Бонус: 1.72 !
Бонусная программа
Итого: 86
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
package / caseSOT-23-3
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity3000
manufacturerVishay
maximum operating temperature+150 C
mounting styleSMD/SMT
packagingCut Tape or Reel
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
seriesSI2
subcategoryMOSFETs
configurationSingle
fall time6 ns
rise time4 ns
number of channels1 Channel
Вес и габариты
tradenameTrenchFET
technologySi
pd - power dissipation2.5 W
channel modeEnhancement
rds on - drain-source resistance29 mOhms
transistor polarityP-Channel
vds - drain-source breakdown voltage30 V
vgs - gate-source voltage10 V
id - continuous drain current7.6 A
typical turn-on delay time13 ns
typical turn-off delay time38 ns
forward transconductance - min18 S
qg - gate charge17 nC
transistor type1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage1.2 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль