SI2369BDS-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleP-канал 30 В, 5,6 А (Ta), 7,5 А (Tc), 1,3 Вт (Ta), 2,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж SOT-23-3 (TO-236)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleP-канал 30 В, 5,6 А (Ta), 7,5 А (Tc), 1,3 Вт (Ta), 2,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж SOT-23-3 (TO-236)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageSOT-23-3 (TO-236)
seriesTrenchFETВ® Gen IV ->
base product numberSI2369 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
fet typeP-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs19.5nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds745pF @ 15V
power dissipation (max)1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs27mOhm @ 5A, 10V
vgs (max)+16V, -20V
vgs(th) (max) @ id2.2V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль