Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	4.54
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance	42mО© @ 3.8A,10V
transistor polarity	P Channel

94 ₽

- +

Бонус: 1.88 !

Бонусная программа

Итого: 94 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	4.54
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance	42mО© @ 3.8A,10V
transistor polarity	P Channel
vds - drain-source breakdown voltage	30V
vgs - gate-source voltage	2.5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	5A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)	1.7W(Tc)

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

SI2347DS-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 5 А, 0.033 Ом, SOT-23, Surface Mount