Name: SI2343CDS-T1-GE3, P-Channel MOSFET, 4.7 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2343CDS-T1-GE3
SKU: SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3, P-Channel MOSFET, 4.7 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2343CDS-T1-GE3

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsThe SI2343CDS-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, notebook adaptor switch and DC-to-DC converter applications. • 100% Rg tested• -55 to 150°C Operating temperature range• Halogen-free

Подробное описание

Основные
mounting type	Surface Mount
package / case	SOT-23-3
максимальная рабочая температура	150 C
package type	SOT-23

Все характеристики

57 ₽

– +

Бонус: 1.14 !

Бонусная программа

Итого: 57 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsThe SI2343CDS-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, notebook adaptor switch and DC-to-DC converter applications.
• 100% Rg tested• -55 to 150°C Operating temperature range• Halogen-free

Основные
mounting type	Surface Mount
package / case	SOT-23-3
максимальная рабочая температура	150 C
package type	SOT-23
minimum operating temperature	-55 C
width	1.4mm
pin count	3
factory pack quantity	3000
manufacturer	Vishay
maximum operating temperature	+150 C
mounting style	SMD/SMT
packaging	Cut Tape or Reel
product category	MOSFET
product type	MOSFET
series	SI2
subcategory	MOSFETs
количество выводов	3вывод(-ов)
configuration	Single
fall time	8 ns
rise time	10 ns
number of channels	1 Channel
Вес и габариты
tradename	TrenchFET
number of elements per chip	1
channel type	P
part # aliases	SI2343CDS-GE3
technology	Si
pd - power dissipation	2.5 W
рассеиваемая мощность	2.5Вт
power dissipation	2.5Вт
напряжение истока-стока vds	30В
transistor configuration	Single
maximum drain source voltage	30 V
maximum gate source voltage	-20 V, +20 V
полярность транзистора	P Канал
стиль корпуса транзистора	SOT-23
непрерывный ток стока	5.9А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.037Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	1.2В
maximum continuous drain current	4.7 A
transistor material	Si
maximum drain source resistance	75 mΩ
channel mode	Enhancement
minimum gate threshold voltage	1.2V
rds on - drain-source resistance	45 mOhms
transistor polarity	P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	30 V
vgs - gate-source voltage	10 V
id - continuous drain current	5.9 A
maximum power dissipation	2.5 W
typical gate charge @ vgs	13.6 nC 10 V
typical turn-on delay time	8 ns
typical turn-off delay time	18 ns
forward transconductance - min	10 S
qg - gate charge	21 nC
transistor type	1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	1.2 V
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.037Ом

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки