SI2319DDS-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 40 В, 3.6 А, 0.062 Ом, SOT-23, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI2319DDS-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г2
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen III
количество выводов3вывод(-ов)
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г2
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen III
количество выводов3вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeP Channel
рассеиваемая мощность1.7Вт
power dissipation1.7Вт
напряжение истока-стока vds40В
полярность транзистораP Канал
стиль корпуса транзистораSOT-23
непрерывный ток стока3.6А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.062Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs2.5В
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.062Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль