Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	2
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET Gen III
количество выводов	3вывод(-ов)

110 ₽

- +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	2
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET Gen III
количество выводов	3вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel type	P Channel
рассеиваемая мощность	1.7Вт
power dissipation	1.7Вт
напряжение истока-стока vds	40В
полярность транзистора	P Канал
стиль корпуса транзистора	SOT-23
непрерывный ток стока	3.6А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.062Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	2.5В
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.062Ом

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

SI2319DDS-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 40 В, 3.6 А, 0.062 Ом, SOT-23, Surface Mount