SI2318CDS-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SI2318CDS-T1-GE3
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET N-канальный МОП-транзистор, от 30 до 50 В, Vishay Semiconductor
Основные
mounting type
Surface Mount
length
3.04mm
package type
SOT-23
minimum operating temperature
-55 °C
width
1.4mm
pin count
3
maximum operating temperature
+150 °C
height
1.02mm
Вес и габариты
number of elements per chip
1
channel type
N
transistor configuration
Single
maximum drain source voltage
40 V
maximum gate source voltage
-20 V, +20 V
maximum continuous drain current
5.6 A
transistor material
Si
maximum drain source resistance
51 mΩ
channel mode
Enhancement
minimum gate threshold voltage
1.2V
continuous drain current (id) @ 25°c
5.6A
power dissipation-max (ta=25°c)
1.25W
rds on - drain-source resistance
42mΩ 4.3A, 10V
transistor polarity
N Channel
vds - drain-source breakdown voltage
40V
vgs - gate-source voltage
2.5V 250uA
maximum power dissipation
2.1 W
typical gate charge @ vgs
5.8 nC @ 10 V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26