SI2316BDS-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V
Основные
вес, г0.008
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V
Основные
вес, г0.008
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокSOT-23-3
серияSI2
длина2.9 mm
время нарастания11 ns
время спада7 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности1.66 W
другие названия товара №SI2316BDS-GE3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки4.5 A
qg - заряд затвора6.35 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток50 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.6 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения12 ns
типичное время задержки при включении4.5 ns
Высота 1.45 мм
Ширина1.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль