SI2312BDS-T1-E3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБМОП-транзистор N-Channel 20V 3.9A
| Основные | |
| вес, г | 0.04 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay / Siliconix |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| серия | SI2 |
| длина | 2.9 mm |
| время нарастания | 30 ns |
| время спада | 10 ns |
| коммерческое обозначение | TrenchFET |
| pin count | 3 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Power MOSFET |
| pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| другие названия товара № | SI2312BDS-E3 |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Gull-wing |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | NRND |
| pcb changed | 3 |
| ppap | No |
| standard package name | SOT |
| supplier package | SOT-23 |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 1250 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| process technology | TrenchFET |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| qg - заряд затвора | 12 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 31 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 30 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 35 ns |
| типичное время задержки при включении | 9 ns |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 3.9 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 31 4.5V |
| maximum drain source voltage (v) | 20 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±8 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 0.85 |
| maximum idss (ua) | 1 |
| typical fall time (ns) | 10 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 7.5 4.5V |
| typical rise time (ns) | 30 |
| typical turn-off delay time (ns) | 35 |
| typical turn-on delay time (ns) | 9 |
| rds on - drain-source resistance | 31mО© @ 5A,4.5V |
| transistor polarity | N Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 20V |
| vgs - gate-source voltage | 850mV @ 250uA |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 3.9A |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 750mW |
| operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
| typical output capacitance (pf) | 100 |
| maximum continuous drain current on pcb @ tc=25°c (a) | 5 |
| maximum diode forward voltage (v) | 1.2 |
| maximum gate resistance (ohm) | 3.3 |
| maximum junction ambient thermal resistance on pcb (°c/w) | 166 |
| maximum positive gate source voltage (v) | 8 |
| maximum power dissipation on pcb @ tc=25°c (w) | 1.25 |
| maximum pulsed drain current @ tc=25°c (a) | 15 |
| minimum gate resistance (ohm) | 1.1 |
| minimum gate threshold voltage (v) | 0.45 |
| typical diode forward voltage (v) | 0.8 |
| typical gate plateau voltage (v) | 1.4 |
| typical gate to drain charge (nc) | 1.2 |
| typical gate to source charge (nc) | 1.4 |
| typical reverse recovery time (ns) | 13 |
| Высота | 1.45 мм |
| Ширина | 1.6 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![SGP23N60UFDTU, IGBT 600В 23А, [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/78/76/27678/images/38416/38416.300x0.jpg "SGP23N60UFDTU, IGBT 600В 23А, [TO-220]")
![Транзистор КТ808ВМ \NPN\60\TO-3\; транз КТ808ВМ \NPN\60\TO-3\](/wa-data/public/shop/products/44/22/292244/images/336957/336957.300x0.jpg "Транзистор КТ808ВМ \NPN\60\TO-3\; транз КТ808ВМ \NPN\60\TO-3\")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
