SI2308CDS-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 2.6 А, 0.12 Ом, SOT-23, Surface Mount (SI2308CDS-T1-GE3) — купить | ООО «Телеметрия» 


SI2308CDS-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 2.6 А, 0.12 Ом, SOT-23, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI2308CDS-T1-GE3
Основные
вес, г2
package / caseSOT-23-3
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity3000
82
- +
Бонус: 1.64 !
Бонусная программа
Итого: 82
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты

► Купить SI2308CDS-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 2.6 А, 0.12 Ом, SOT-23, Surface Mount в интернет-магазине ООО «Телеметрия».

■ Категория: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

Цена: 82 руб.

Почему выбирают нас:

  • ✓ Оригинальная продукция
  • ✓ Быстрая доставка по Москве и России
  • ✓ Гарантия качества
  • ✓ Консультация специалиста

Заказать: +7 (929) 433-44-45

Основные
вес, г2
package / caseSOT-23-3
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity3000
manufacturerVishay
maximum operating temperature+150 C
mounting styleSMD/SMT
packagingCut Tape or Reel
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
seriesSi2308CDS
subcategoryMOSFETs
configurationSingle
fall time16 ns
rise time25 ns
number of channels1 Channel
Вес и габариты
technologySi
pd - power dissipation1.6 W
channel modeEnhancement
rds on - drain-source resistance200 mOhms
transistor polarityN-Channel
vds - drain-source breakdown voltage60 V
vgs - gate-source voltage20 V
id - continuous drain current2.6 A
typical turn-on delay time23 ns
typical turn-off delay time10 ns
forward transconductance - min3.2 S
qg - gate charge2 nC
vgs th - gate-source threshold voltage3 V
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль