SI2308CDS-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 2.6 А, 0.12 Ом, SOT-23, Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SI2308CDS-T1-GE3
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Основные
вес, г
2
package / case
SOT-23-3
minimum operating temperature
-55 C
factory pack quantity
3000
manufacturer
Vishay
maximum operating temperature
+150 C
mounting style
SMD/SMT
packaging
Cut Tape or Reel
product category
MOSFET
product type
MOSFET
series
Si2308CDS
subcategory
MOSFETs
configuration
Single
fall time
16 ns
rise time
25 ns
number of channels
1 Channel
Вес и габариты
technology
Si
pd - power dissipation
1.6 W
channel mode
Enhancement
rds on - drain-source resistance
200 mOhms
transistor polarity
N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage
60 V
vgs - gate-source voltage
20 V
id - continuous drain current
2.6 A
typical turn-on delay time
23 ns
typical turn-off delay time
10 ns
forward transconductance - min
3.2 S
qg - gate charge
2 nC
vgs th - gate-source threshold voltage
3 V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26