SI2307CDS-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ
Основные
вес, г0.047
package / caseSOT-23-3
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity3000
48
+
Бонус: 0.96 !
Бонусная программа
Итого: 48
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ
Основные
вес, г0.047
package / caseSOT-23-3
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity3000
manufacturerVishay
maximum operating temperature+150 C
mounting styleSMD/SMT
packagingCut Tape or Reel
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
seriesSI2
subcategoryMOSFETs
configurationSingle
fall time7.7 ns
rise time13 ns
number of channels1 Channel
Вес и габариты
tradenameTrenchFET
part # aliasesSI2307CDS-GE3
technologySi
pd - power dissipation1.8 W
channel modeEnhancement
rds on - drain-source resistance88 mOhms
transistor polarityP-Channel
vds - drain-source breakdown voltage30 V
vgs - gate-source voltage10 V
id - continuous drain current3.5 A
typical turn-on delay time5.5 ns
typical turn-off delay time17 ns
forward transconductance - min7 S
qg - gate charge4.1 nC
transistor type1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage1 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль