SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI2305B-TP
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity3000
36
+
Бонус: 0.72 !
Бонусная программа
Итого: 36
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity3000
fall time10 ns
forward transconductance - min6 S
id - continuous drain current4.2 A
manufacturerMicro Commercial Components(MCC)
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseSOT-23-3
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation1.4 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge15 nC
rds on - drain-source resistance80 mOhms
rise time35 ns
seriesTrenchFET
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityP-Channel
typical turn-off delay time32 ns
typical turn-on delay time13 ns
vds - drain-source breakdown voltage20 V
вес, г0.1
vgs - gate-source voltage8 V
vgs th - gate-source threshold voltage900 mV
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль