SI2304BDS-T1-GE3, Транзистор

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI2304BDS-T1-GE3
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance70mО© @ 2.5A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance70mО© @ 2.5A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
vgs - gate-source voltage3V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c3.2A
power dissipation-max (ta=25в°c)750mW
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль