SI2304BDS-T1-E3, Transistor Polarity:N Channel

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI2304BDS-T1-E3
МОП-транзистор 30V 3.2A 0.07Ohm
Основные
вес, г0.08
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 30V 3.2A 0.07Ohm
Основные
вес, г0.08
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокSOT-23-3
серияSI2
длина2.9 mm
время нарастания12.5 ns
время спада15 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности750 mW
другие названия товара №SI2304BDS-E3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки2.6 A
qg - заряд затвора2.6 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток70 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.6 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения19 ns
типичное время задержки при включении7.5 ns
rds on - drain-source resistance70mО© @ 2.5A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
vgs - gate-source voltage3V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c2.6A
power dissipation-max (ta=25в°c)750mW
Высота 1.45 мм
Ширина1.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль