SI2302DDS-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI2302DDS-T1-GE3
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор 20V Vds 8V Vgs SOT-23
| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay / Siliconix |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.21.0095 |
| серия | SI2 |
| supplier device package | SOT-23-3 (TO-236) |
| время нарастания | 7 ns |
| время спада | 7 ns |
| коммерческое обозначение | TrenchFET |
| minimum operating temperature | -55 C |
| factory pack quantity | 3000 |
| manufacturer | Vishay |
| maximum operating temperature | +150 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| series | TrenchFETВ® -> |
| subcategory | MOSFETs |
| pd - рассеивание мощности | 860 mW |
| количество каналов | 1 Channel |
| base product number | SI2302 -> |
| configuration | Single |
| fall time | 7 ns |
| rise time | 7 ns |
| number of channels | 1 Channel |
| Вес и габариты | |
| tradename | TrenchFET |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| pd - power dissipation | 860 mW |
| id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| qg - заряд затвора | 5.5 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 57 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 13 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 30 ns |
| типичное время задержки при включении | 8 ns |
| channel mode | Enhancement |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 2.9A (Tj) |
| drain to source voltage (vdss) | 20V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 2.5V, 4.5V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| power dissipation (max) | 710mW (Ta) |
| rds on (max) @ id, vgs | 57mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| vgs (max) | В±8V |
| vgs(th) (max) @ id | 850mV @ 250ВµA |
| rds on - drain-source resistance | 57mО© @ 3.6A,4.5V |
| transistor polarity | N Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 20V |
| vgs - gate-source voltage | 850mV @ 250uA |
| id - continuous drain current | 2.9 A |
| typical turn-on delay time | 8 ns |
| typical turn-off delay time | 30 ns |
| forward transconductance - min | 13 S |
| qg - gate charge | 5.5 nC |
| transistor type | 1 N-Channel |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 400 mV |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 2.9A(Tj) |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 710mW |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![BC858B, Транзистор PNP 30В 0.1А HFE=220…475 0.225Вт [SOT-23-3]](/wa-data/public/shop/products/75/71/297175/images/345496/345496.300x0.jpg "BC858B, Транзистор PNP 30В 0.1А HFE=220…475 0.225Вт [SOT-23-3]")
![FF1500R12IE5PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 1.5 кА, 1.7 В, 175 °C, M](/wa-data/public/shop/products/90/05/140590/images/175553/175553.300x0.jpg "FF1500R12IE5PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 1.5 кА, 1.7 В, 175 °C, M")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
