SI2302A-TP, Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SI2302A-TP
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Вес и габариты
channel mode
Enhancement
configuration
Single
factory pack quantity
3000
fall time
36 ns
forward transconductance - min
8.5 S
id - continuous drain current
3 A
manufacturer
MCC(Micro Commercial Components)
maximum operating temperature
+150 C
minimum operating temperature
-55 C
mounting style
SMD/SMT
number of channels
1 Channel
package / case
SOT-23
packaging
Tape & Reel (TR)
pd - power dissipation
1.25 W
product category
MOSFET
product type
MOSFET
qg - gate charge
6 nC
rds on - drain-source resistance
110 mOhms
rise time
11 ns
series
N-Ch Polarity
subcategory
MOSFETs
technology
Si
transistor polarity
N-Channel
transistor type
1 N-Channel
typical turn-off delay time
34 ns
typical turn-on delay time
23 ns
vds - drain-source breakdown voltage
20 V
vgs - gate-source voltage
2.5 V
vgs th - gate-source threshold voltage
650 mV
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26