SI2302-TP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c3A
power dissipation-max (ta=25в°c)1.25W
rds on - drain-source resistance72mО© @ 3.6A,4.5V
11
+
Бонус: 0.22 !
Бонусная программа
Итого: 11
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c3A
power dissipation-max (ta=25в°c)1.25W
rds on - drain-source resistance72mО© @ 3.6A,4.5V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage20V
vgs - gate-source voltage1.2V @ 50uA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль