SI2301CDS-T1-E3, Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI2301CDS-T1-E3
P-канал 20 В, 3,1 А (Tc), 860 мВт (Ta), 1,6 Вт (Tc), поверхностный монтаж SOT-23-3 (TO-236)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
25
+
Бонус: 0.5 !
Бонусная программа
Итого: 25
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
P-канал 20 В, 3,1 А (Tc), 860 мВт (Ta), 1,6 Вт (Tc), поверхностный монтаж SOT-23-3 (TO-236)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageSOT-23-3 (TO-236)
seriesTrenchFETВ® ->
base product numberSI2301 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c3.1A (Tc)
drain to source voltage (vdss)20V
drive voltage (max rds on, min rds on)2.5V, 4.5V
fet typeP-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs10nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds405pF @ 10V
power dissipation (max)860mW (Ta), 1.6W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs112mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs (max)В±8V
vgs(th) (max) @ id1V @ 250ВµA
rds on - drain-source resistance112mО© @ 2.8A,4.5V
transistor polarityP Channel
vds - drain-source breakdown voltage20V
vgs - gate-source voltage1V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c3.1A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)1.6W(Tc)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль