SI1442DH-T1-GE3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 12V Vds 8V Vgs SC70-6
| Основные | |
| вес, г | 0.0075 |
| pin count | 6 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Power MOSFET |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Gull-wing |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | Active |
| pcb changed | 6 |
| ppap | No |
| standard package name | SC |
| supplier package | SC-70 |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 1560 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single Quad Drain |
| вид монтажа: | SMD/SMT |
| категория продукта: | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| подкатегория: | MOSFETs |
| производитель: | Vishay |
| серия: | SI1 |
| тип продукта: | MOSFET |
| торговая марка: | Vishay Semiconductors |
| размер фабричной упаковки: | 3000 |
| другие названия товара №: | SI1442DH-T1-BE3 SI1442DH-GE3 |
| упаковка / блок: | SOT-363-6 |
| время нарастания: | 13 ns |
| время спада: | 9 ns |
| process technology | TrenchFET |
| Вес и габариты | |
| коммерческое обозначение: | TrenchFET |
| number of elements per chip | 1 |
| channel type | N |
| pd - рассеивание мощности: | 1.56 W |
| количество каналов: | 1 Channel |
| технология: | Si |
| конфигурация: | Single |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 4 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 20 4.5V |
| maximum drain source voltage (v) | 12 |
| maximum gate source voltage (v) | ±8 |
| typical fall time (ns) | 9 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 13.1 4.5V|21.8 8V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 1010 6V |
| typical rise time (ns) | 13 |
| typical turn-off delay time (ns) | 22 |
| typical turn-on delay time (ns) | 8 |
| id - непрерывный ток утечки: | 4 A |
| qg - заряд затвора: | 33 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток: | 20 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток: | 12 V |
| vgs - напряжение затвор-исток: | 8 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1 V |
| канальный режим: | Enhancement |
| полярность транзистора: | N-Channel |
| тип транзистора: | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения: | 22 ns |
| типичное время задержки при включении: | 8 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
