SI1308EDL-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT323, АБ
Основные
вес, г0.034
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance132mО© @ 1.4A,10V
transistor polarityN Channel
48
+
Бонус: 0.96 !
Бонусная программа
Итого: 48
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT323, АБ
Основные
вес, г0.034
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance132mО© @ 1.4A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
vgs - gate-source voltage1.5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c1.4A
power dissipation-max (ta=25в°c)400mW
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль