SI1077X-T1-GE3, P-Channel MOSFET, 760 mA, 30 V, 6-Pin SC-89-6 SI1077X-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI1077X-T1-GE3
MOSFETsP-канал 20 В 1,75 A (Ta) 330 мВт (Ta) Монтаж на поверхность SC-89-6
Основные
вес, г7
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
18
+
Бонус: 0.36 !
Бонусная программа
Итого: 18
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
MOSFETsP-канал 20 В 1,75 A (Ta) 330 мВт (Ta) Монтаж на поверхность SC-89-6
Основные
вес, г7
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-563, SOT-666
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
supplier device packageSC-89-6
seriesTrenchFETВ® ->
base product numberSI1077 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c1.75A (Ta)
drain to source voltage (vdss)20V
drive voltage (max rds on, min rds on)1.5V, 4.5V
fet typeP-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs31.1nC @ 8V
input capacitance (ciss) (max) @ vds965pF @ 10V
power dissipation (max)330mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs78mOhm @ 1.8A, 4.5V
vgs (max)В±8V
vgs(th) (max) @ id1V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль