SI1050X-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 8V Vds 5V Vgs SC89-6
Основные
вес, г0.032
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 8V Vds 5V Vgs SC89-6
Основные
вес, г0.032
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокSC-89-6
серияSI1
время спада6 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности236 mW
другие названия товара №SI1050X-GE3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки1.34 A
qg - заряд затвора7.7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток86 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток8 V
vgs - напряжение затвор-исток4.5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток350 mV
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.4.12 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения25 ns
типичное время задержки при включении6.8 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль