N-канальный MOSFET, от 8 до 25 В, Vishay Semiconductor

Подробное описание

74 ₽

– +

Бонус: 1.48 !

Бонусная программа

Итого: 74 ₽

Купить

N-канальный MOSFET, от 8 до 25 В, Vishay Semiconductor

Основные
вес, г	0.5
mounting type	Surface Mount
length	1.68mm
package type	SOT-416 (SC-75A)
minimum operating temperature	-55 °C
width	0.86mm
pin count	3
maximum operating temperature	+150 °C
height	0.8mm
Вес и габариты
number of elements per chip	1
channel type	N
transistor configuration	Single
maximum drain source voltage	20 V
maximum gate source voltage	-6 V, +6 V
maximum continuous drain current	200 mA
transistor material	Si
maximum drain source resistance	9 Ω
channel mode	Enhancement
minimum gate threshold voltage	0.4V
maximum power dissipation	280 mW
typical gate charge @ vgs	750 nC @ 4.5 V

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

SI1032R-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 140 мА, 5 Ом, SC-89, Surface Mount