SI1032R-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 140 мА, 20 В, 5 Ом, 4.5 В, 700 мВ

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI1032R-T1-GE3
N-канальный MOSFET, от 8 до 25 В, Vishay Semiconductor
Основные
вес, г0.05
mounting typeSurface Mount
length1.68mm
package typeSOT-416 (SC-75A)
92
+
Бонус: 1.84 !
Бонусная программа
Итого: 92
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канальный MOSFET, от 8 до 25 В, Vishay Semiconductor
Основные
вес, г0.05
mounting typeSurface Mount
length1.68mm
package typeSOT-416 (SC-75A)
minimum operating temperature-55 °C
width0.86mm
pin count3
maximum operating temperature+150 °C
height0.8mm
Вес и габариты
number of elements per chip1
channel typeN
transistor configurationSingle
maximum drain source voltage20 V
maximum gate source voltage-6 V, +6 V
maximum continuous drain current200 mA
transistor materialSi
maximum drain source resistance9 Ω
channel modeEnhancement
minimum gate threshold voltage0.4V
maximum power dissipation280 mW
typical gate charge @ vgs750 nC @ 4.5 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль