SI1029X-T1-GE3, Dual N/P-Channel MOSFET, 190 mA, 300 mA, 60 V, 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI1029X-T1-GE3
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Основные
mounting typeSurface Mount
package typeSC-89-6
minimum operating temperature-55 C
width1.7mm
90
+
Бонус: 1.8 !
Бонусная программа
Итого: 90
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Основные
mounting typeSurface Mount
package typeSC-89-6
minimum operating temperature-55 C
width1.7mm
pin count6
maximum operating temperature+150 C
Вес и габариты
number of elements per chip2
channel typeN, P
transistor configurationIsolated
maximum drain source voltage60 V
maximum gate source voltage-20 V, +20 V
maximum continuous drain current190 mA, 300 mA
transistor materialSi
maximum drain source resistance3 Ω, 8 Ω
channel modeEnhancement
minimum gate threshold voltage1V
maximum power dissipation250 mW
typical gate charge @ vgs1700 nC 15 V, 750 nC 4.5 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль