SI1024X-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI1024X-T1-GE3
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор Dual N-Ch МОП-транзистор 20V 700 mohms @ 4.5V
| Основные | |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay / Siliconix |
| упаковка / блок | SOT-563-6 |
| серия | SI1 |
| коммерческое обозначение | TrenchFET |
| pin count | 6 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Power MOSFET |
| pd - рассеивание мощности | 280 mW |
| другие названия товара № | SI1024X-GE3 |
| количество каналов | 2 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | NRND |
| pcb changed | 6 |
| standard package name | SC |
| supplier package | SC-89 |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 250 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Dual |
| hts | 8541.29.00.95 |
| package height | 0.6(Max) |
| package length | 1.7(Max) |
| package width | 1.2 |
| process technology | TrenchFET |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 2 |
| конфигурация | Dual |
| channel type | N |
| id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
| qg - заряд затвора | 750 pC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 700 mOhms |
| vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 1 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 2 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 36 ns |
| типичное время задержки при включении | 10 ns |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 0.485 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 700@4.5V |
| maximum drain source voltage (v) | 20 |
| maximum gate source voltage (v) | ±6 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 750@4.5V |
| military | No |
| rds on - drain-source resistance | 700mО© @ 600mA,4.5V |
| transistor polarity | 2 N Channel(Double) |
| vds - drain-source breakdown voltage | 20V |
| vgs - gate-source voltage | 900mV @ 250uA |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 485mA |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 250mW |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![IRFR5410PBF, Транзистор, Р-канал 100В 13А [D-PAK]](/wa-data/public/shop/products/12/27/192712/images/227347/227347.300x0.jpg "IRFR5410PBF, Транзистор, Р-канал 100В 13А [D-PAK]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
