SI1021R-T1-GE3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
| Основные | |
| вес, г | 0.0204 |
| pin count | 3 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Power MOSFET |
| automotive | No |
| eu rohs | compliant |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | surface mount |
| part status | active |
| pcb changed | 3 |
| ppap | No |
| standard package name | SC |
| supplier package | SC-75A |
| eccn (us) | ear99 |
| maximum power dissipation (mw) | 250 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| process technology | TrenchFET |
| Вес и габариты | |
| number of elements per chip | 1 |
| channel type | P |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 0.19 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 4000 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 60 |
| maximum gate source leakage current (na) | 10000 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 3 |
| maximum idss (ua) | 0.025 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 1.7 15V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 23 25V |
| rds on - drain-source resistance | 4О© @ 500mA,10V |
| transistor polarity | P Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 60V |
| vgs - gate-source voltage | 3V @ 250uA |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 190mA |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 250mW |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26 - Нажмите для заказа
